减薄、划片

工艺介绍:在半导体工业中,通常需要将晶圆(wafer)切割成较薄的芯片,以制造各种类型的集成电路和器件。半导体切割减薄的目的是制备具有特定尺寸和厚度的芯片,以满足不同的应用需求。切割减薄技术的精度和稳定性对于半导体器件的性能和可靠性至关重要。因此,在实际操作中,需要严格控制加工参数,并采用先进的设备和技术来实现高质量的切割减薄。 

研磨/减薄
Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等;均匀性:±2um
抛光
Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等;表面粗糙度:1-50nm
激光切割Si基MEMS产品
样品厚度:100-700μm, 切割宽度:≤10μm, 样品尺寸:8寸(向下兼容)
刀片切割8英寸卡盘

不同材料选用不同刀片Si,Ge,玻璃,石英,陶瓷,电路板

解理机

GaAs,InP