光刻加工京蓝微纳

光刻

工艺介绍：光刻是一种用于半导体器件和微纳加工制造的关键技术，它通过将光投射到光刻胶（photoresist）上并进行曝光，然后进行化学处理，将图案转移到半导体材料上形成所需的图案和结构。

接触式光刻（Aligner）

最小线宽：1μm，套刻精度：±0.5μm

步进式光刻（Stepper）

最小线宽：0.35μm 套刻精度≤0.15μm，2inch、4inch及6inch晶圆

电子束光刻（EBL）

最小线宽：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围直径<75mm，样品大小：15mm*15mm、20mm*20mm、2inch、3inch、4inch。光刻胶种类：PMMA A2、PMMA A4、PMMA A8

背面套刻

最小线宽：1μm，背面套刻精度：±2μm

电话：13656173953 （微信同号）

邮箱地址：jlmems@aliyun.com

公司地址：无锡市新吴区菱湖大道200号微纳园F11栋2楼

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