刻蚀

工艺介绍:刻蚀技术即在半导体材料表面或内部刻蚀出所需的结构或图案,以实现电子器件的功能,常用于刻蚀金属、氧化物、硅等不同材料,并且可以实现微纳米级别的精细结构。 

湿法腐蚀
包含碱性KOH,TMAH、金腐蚀等腐蚀和酸性HF,BOE,HCI,HNO3,H2SO4,HAc等腐蚀

电感耦合等离子刻蚀

GaN,GaAs,InP

深硅刻蚀

刻蚀均匀性<±5%,选择比>50:1
深氧化硅刻蚀

石英,玻璃,硅,刻蚀形貌:90°±1°·

离子束刻蚀

用于较难刻蚀的金属或其他物质

反应离子刻蚀

Si,SiO₂,SiNx

Plasma(灰化)

光刻胶,PI(聚酰亚胺)

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光刻胶剥离丙酮,异丙醇