离子注入

工艺介绍:离子注入(Ion Implantation)广泛应用于集成电路制造中。它通过将高能离子束注入到半导体材料中,改变材料的物理和化学特性,并且可以实现微纳米级别的器件尺寸控制和性能优化。 

离子注入元素
B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
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高温氧化1150℃
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高温扩散/退火900℃-1100℃
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快速退火150℃-1000℃